パワーマネジメント•W4TXE0X-0D00の技術情報
型番: W4TXE0X-0D00
パッケージ:
メーカ名: Cree
ピン数:
商品説明: Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
温度範囲: Min °C | Max °C