パワーマネジメント•W4NXE8C-LD00の技術情報

型番: W4NXE8C-LD00

パッケージ:

メーカ名: Cree

ピン数:

商品説明: Diameter 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

温度範囲: Min °C | Max °C

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