パワーマネジメント•W4NXD8D-0000の技術情報
型番: W4NXD8D-0000
パッケージ:
メーカ名: Cree
ピン数:
商品説明: Diameter 50.8mm; standatd mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
温度範囲: Min °C | Max °C