パワーマネジメント•RJK03C1DPBの技術情報

型番: RJK03C1DPB

パッケージ:

メーカ名: Renesas Technology Corp

ピン数:

商品説明: Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

温度範囲: Min °C | Max °C

RJK03C1DPB