パワーマネジメント•RJK03C1DPBの技術情報
型番: RJK03C1DPB
パッケージ:
メーカ名: Renesas Technology Corp
ピン数:
商品説明: Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
温度範囲: Min °C | Max °C
RJK03C1DPB
型番: RJK03C1DPB
パッケージ:
メーカ名: Renesas Technology Corp
ピン数:
商品説明: Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
温度範囲: Min °C | Max °C
RJK03C1DPB