パワーマネジメント•MTH8N50Eの技術情報
型番: MTH8N50E
パッケージ:
メーカ名: MOTOROLA[Motorola,
ピン数:
商品説明: TMOS E-FET High Energy Power N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
温度範囲: Min °C | Max °C
型番: MTH8N50E
パッケージ:
メーカ名: MOTOROLA[Motorola,
ピン数:
商品説明: TMOS E-FET High Energy Power N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
温度範囲: Min °C | Max °C