パワーマネジメント•GT10J30306の技術情報
型番: GT10J30306
パッケージ:
メーカ名: Toshiba Semiconductor
ピン数:
商品説明: SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
温度範囲: Min °C | Max °C
型番: GT10J30306
パッケージ:
メーカ名: Toshiba Semiconductor
ピン数:
商品説明: SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
温度範囲: Min °C | Max °C