パワーマネジメント•F2201Sの技術情報
型番: F2201S
パッケージ:
メーカ名: Polyfet RF Devices
ピン数:
商品説明: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
温度範囲: Min °C | Max °C
F2201S
型番: F2201S
パッケージ:
メーカ名: Polyfet RF Devices
ピン数:
商品説明: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
温度範囲: Min °C | Max °C
F2201S