パワーマネジメント•F2013の技術情報
型番: F2013
パッケージ:
メーカ名: Polyfet RF Devices
ピン数:
商品説明: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
温度範囲: Min °C | Max °C
F2013
型番: F2013
パッケージ:
メーカ名: Polyfet RF Devices
ピン数:
商品説明: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
温度範囲: Min °C | Max °C
F2013