パワーマネジメント•F2012の技術情報
型番: F2012
パッケージ:
メーカ名: POLYFET[Polyfet Devices]
ピン数:
商品説明: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR
温度範囲: Min °C | Max °C
型番: F2012
パッケージ:
メーカ名: POLYFET[Polyfet Devices]
ピン数:
商品説明: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR
温度範囲: Min °C | Max °C